TsieinaTseiniaidd
English
Pŵer Uchel Rhad ac Am Ddim Rheolaeth Cyfnod Symudol Thyristor Delwedd Sylw
  • Thyristor Rheoli Cyfnod Symudol Pŵer Uchel Am Ddim
  • Thyristor Rheoli Cyfnod Symudol Pŵer Uchel Am Ddim
  • Thyristor Rheoli Cyfnod Symudol Pŵer Uchel Am Ddim
  • Thyristor Rheoli Cyfnod Symudol Pŵer Uchel Am Ddim
  • Thyristor Rheoli Cyfnod Symudol Pŵer Uchel Am Ddim

Thyristor Rheoli Cyfnod Symudol Pŵer Uchel Am Ddim

Disgrifiad Byr:


Lawrlwythwch fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Thyristor Rheoli Cyfnod (Math arnofio am Ddim)

Disgrifiad:

Gyda datblygiad pŵer cynyddol a chynhwysedd offer trawsnewidydd, yn enwedig trosglwyddiad HVDC, gofynnir i gapasiti pŵer allbwn thyristor uned gynyddu yn unol â hynny, bydd o'r fath yn lleihau maint gosod thyristor mewn cyfres a chylched cysylltiad cyfochrog.Bydd maint a phwysau'r ddyfais yn cael ei leihau, bydd buddsoddiad is, hyd yn oed foltedd cyfredol a hyd yn oed yn cael ei wireddu'n hawdd, bydd gweithrediad dibynadwy a gwerth masnachol yn cynyddu'n sylweddol.

Bydd y dechnoleg silicon arnofiol am ddim a ddefnyddir i gynhyrchu thyristor cerrynt uchel pŵer uchel yn bodloni'r gofyniad cymhwysiad safonol uchel.Ac ym mis Gorffennaf 2019, roedd RUNAU Electronics wedi datblygu thyristor 5200V gyda sglodyn 5” yn llwyddiannus ac wedi'i gyflenwi i gwsmer a oedd yn berthnasol ym mhrosiect HVDC Tsieina.

Cyflwyniad:

1. Sglodion

Mae'r sglodion thyristor safon uchel a weithgynhyrchir gan RUNAU Electronics yn dechnoleg arnofio am ddim a gymhwysir.Dyma'r dechnoleg a gydnabyddir fel y dechnoleg ddiweddaraf ac aeddfed ar gyfer gweithgynhyrchu thyristor foltedd uchel pŵer uchel.Fe'i cymhwysir yn eang gan y cynhyrchwyr mwyaf o'r radd flaenaf.

Cafodd y broses dryledu ei optimeiddio mewn dwysedd a lled i gynyddu'r ymwrthedd foltedd, lleihau'r gostyngiad foltedd ar y wladwriaeth, a gwella'r nodweddion sbardun a deinamig.Cynlluniwyd patrwm ffotolithograffeg newydd i wella'r nodwedd di/dt a dv/dt.Ail-adeiladwyd strwythur cyswllt sglodion i amddiffyn ymyl wafer silicon ac arwyneb catod, bydd perfformiad y foltedd gwrthdro yn cael ei wella'n fawr.

2. Amgasgliad

Mantais technoleg silicon fel y bo'r angen am ddim yw'r anffurfiad rhwng silicon a waffer molybdenwm wedi'i atal yn fawr a lleihau'r defnydd o wafferi molybdenwm.Er bod angen gwastadrwydd waffer silicon a bloc pecyn copr yn fawr hefyd, mae'r gofyniad cyfochrog a garwedd yn uwch na thechnoleg sglodion aloi.Erbyn gwella ac arloesi parhaus, roedd RUNAU Electronig wedi goresgyn yr holl anawsterau a rhwystrau technegol.Datblygwyd y dechnoleg fel y bo'r angen am ddim, thyristor foltedd uchel pŵer uchel gyda pherfformiad dibynadwy a datrysiad masnachol effeithlon a'i ddarparu i gleientiaid.Mae'r rhan fwyaf ohonynt yn cael eu gosod yn yr unionydd pŵer uchel y gellir ei reoli, cychwynnydd meddal foltedd uchel, trawsyrru pŵer HVDC, tyniant locomotif, iawndal pŵer adweithiol deinamig a system cymhwysiad pŵer pwls.

Manyleb Technegol

  1. Thyristor a reolir fesul cam gyda sglodyn math aloi a weithgynhyrchir gan RUNAU Electronics, ystod o ITAVo 350A i 5580A a VDRM/VRRMo 3400V i 8500V.
  2. IGT,VGTa minnauHyw'r gwerthoedd prawf ar 25 ℃, oni nodir yn wahanol, yr holl baramedrau eraill yw'r gwerthoedd prawf o dan Tjm;
  3. I2t=I2F SM × tw/2, tw = lled sylfaen cerrynt hanner ton sinwsoidaidd.Ar 50Hz, I2t=0.005I2PYDd(A2S);
  4. Ar 60Hz: iPYDd(8.3ms)=IPYDd(10 ms)×1.066,Tj=Tj;i2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm

Paramedr:

MATH IT(AV)
A		 TC
℃		 VDRM/VRRM
V		 ITSM
@TVJIM&10msA		 I2t
A2s		 VTM
@IT&TJ=25 ℃
V/A		 Tjm
℃		 Rjc
℃/W		 Rcs
℃/W		 F
KN		 m
Kg		 CÔD
Foltedd hyd at 4200V
KP3170-** 3170. llarieidd-dra eg 70 3400 ~ 4200 52000 1.3x107 1.40 3000 125 0.008 0.002 70 1.45 T15C
KP4310-** 4310 70 3400 ~ 4200 60000 1.8x107 1.30 3000 125 0.006 0.002 90 2.90 T17D
KP5580-** 5580 70 3400 ~ 4200 90000 4.0x107 1.40 5000 125 0.004 0.001 120 3.60 T18D
Foltedd hyd at 5200V
KP970-** 970 70 4400 ~ 5200 13500 9.1x105 2.70 2000 125 0.022 0.005 22 0.60 T8C
KP2080-** 2080 70 4400 ~ 5200 29200 4.2x106 1.60 2000 125 0.010 0.003 60 1.10 T13C
KP2780-** 2780. llarieidd-dra eg 70 4400 ~ 5200 42000 8.8x106 1.70 3000 125 0.008 0.002 70 1.45 T15C
KP3910-** 3910 65 4400 ~ 5200 55000 1.5x107 1.50 3000 125 0.006 0.002 90 2.90 T17D
KP4750-** 4750 70 4400 ~ 5200 8700 3.7x107 1.50 5000 110 0.004 0.001 120 3.60 T18D
Foltedd hyd at 6600V
KP350-** 350 70 5800 ~ 6600 4500 1.0x105 2.20 500 125 0. 039 0.008 10 0.33 T5C
KP730-** 730 70 5800 ~ 6600 11800. llarieidd-dra eg 6.9x105 2.20 1000 125 0.022 0.005 22 0.60 T8C
KP1420-** 1420 70 5800 ~ 6600 22400 2.5x106 2.10 1500 125 0.010 0.003 60 1.10 T13C
KP1800-** 1800. llarieidd-dra eg 70 5400 ~ 6600 32000 5.1x106 1.90 1600 125 0.008 0.002 70 1.45 T15C
KP2810-** 2810. llarieidd-dra eg 70 5800 ~ 6600 45000 1.0x107 2.00 3000 125 0.006 0.002 90 2.90 T17D
KP4250-** 4250 70 5800 ~ 6600 71400 2.5x107 1.70 3000 110 0.004 0.001 120 3.60 T18D
Foltedd hyd at 7200V
KP300-** 300 70 6800 ~ 7200 3400 5.8x104 2.40 500 115 0. 039 0.008 10 0.40 T5D
KP640-** 640 70 6800 ~ 7200 9000 4.0x105 2.30 1000 115 0.022 0.005 22 0.65 T8D
KP1150-** 1150 70 6800 ~ 7200 18300. cenhadu eg 1.6x106 2.40 1500 115 0.010 0.003 60 1.30 T13D
KP1510-** 1510 70 6800 ~ 7200 26000 3.3x106 2.00 1600 115 0.008 0.002 70 1.85 T15D
KP2640-** 2640 70 6800 ~ 7200 40000 8.0x106 1.50 1500 115 0.006 0.002 90 2.90 T17D
Foltedd hyd at 8500V
KP270-** 270 70 7400 ~ 8500 2900 4.2x104 2.80 500 115 0. 045 0.008 10 0.40 T5D
KP580-** 580 70 7400 ~ 8500 6000 1.8x105 2.60 1000 115 0.022 0.005 22 0.65 T8D
KP1080-** 1080 70 7400 ~ 8500 11300 6.3x105 2.80 1500 115 0.010 0.003 60 1.30 T13D
KP1480-** 1480. llathredd eg 70 7400 ~ 8500 17000 1.4x106 2.10 1600 115 0.009 0.002 70 1.85 T15D
  • Pâr o:
  • Nesaf:
    • Ysgrifennwch eich neges yma a'i hanfon atom
    Tarwch enter i chwilio neu ESC i gau