Thyristor Rheoli Cam (Math o Alloying)

Disgrifiad:

Mae Thyristor, a elwir hefyd yn Silicon Control Rectifier (SCR), yn ddyfais lled-ddargludyddion pŵer uchel sy'n cynnwys tri strwythur PN.O ran perfformiad, nid yn unig y mae gan y thyristor ddargludedd uncyfeiriad, ond mae ganddo hefyd reolaeth fwy gwerthfawr na'r elfen unionydd silicon, sef dim ond dwy gyflwr dargludiad ac oddi ar y wladwriaeth, i reoli pŵer mawr gyda phŵer bach, ymhelaethu pŵer hyd at gannoedd neu filoedd o weithiau.Mae'r adwaith yn gyflym iawn, gan droi ymlaen ac i ffwrdd mewn micro-eiliadau.Gweithrediad di-gyswllt, dim gwreichion, dim sŵn, tra bod effeithlonrwydd uchel a chost isel.Felly, yn enwedig mewn system cyflenwad pŵer uchel, mae thyristor wedi'i ddefnyddio'n helaeth mewn cylched unioni, switsh ffordd osgoi statig, switsh allbwn di-gyswllt a chylchedau eraill.

Cyflwynwyd safon gweithgynhyrchu thyristor a thechnoleg prosesu RUNAU Electronics o UDA ers yr 1980au, fel arloeswr gweithgynhyrchu thyristor yn Tsieina, roedd tîm technegol RUNAU wedi caffael y wybodaeth ddiweddaraf a digon o brofiad gweithgynhyrchu am fwy na 30 mlynedd.Ar sylfaenol y broses weithgynhyrchu draddodiadol, roedd technegwyr talent RUNAU Electronics wedi datblygu'r dechnoleg celf-wladwriaeth mewn gweithgynhyrchu thyristor gyda nodweddion mantais cynhyrchion Ewropeaidd, mae ansawdd a pherfformiad yn gwella'n fawr, mwy o enillion mawr a gyflawnwyd wrth gymhwyso electroneg pŵer. meysydd, a chrëwyd mwy o werth i bartneriaid.

Cyflwyniad:

1. Sglodion

Mae'r sglodion thyristor a weithgynhyrchir gan RUNAU Electronics yn dechnoleg aloi sintered a ddefnyddir.Cafodd y wafer silicon a molybdenwm ei sintro i'w aloi gan alwminiwm pur (99.999%) o dan wactod uchel a thymheredd uchel.Gweinyddu nodweddion sintering yw'r ffactor allweddol i effeithio ar ansawdd thyristor.Cymhwyswyd gwybodaeth RUNAU Electronics yn ogystal â rheoli dyfnder cyffordd aloi, gwastadrwydd wyneb, ceudod aloi yn ogystal â sgil trylediad llawn, giât y ganolfan, patrwm cylch cylch i alluogi gweithrediad dargludiad dibynadwy ac effeithlon uchel thyristor, er mwyn sicrhau perfformiad o ansawdd uchel.

2. Amgasgliad

Trwy reoli gwastadrwydd a chyfochrogrwydd waffer molybdenwm a phecyn allanol yn llym, bydd y sglodion a'r wafer molybdenwm yn cael eu hintegreiddio â phecyn allanol yn dynn ac yn llwyr.Bydd o'r fath yn gwneud y gorau o wrthwynebiad cerrynt ymchwydd a cherrynt cylched byr uchel.A defnyddiwyd mesuriad technoleg anweddiad electronau i greu ffilm alwminiwm trwchus ar wyneb wafer silicon, a bydd haen rutheniwm wedi'i blatio ar wyneb molybdenwm yn gwella ymwrthedd blinder thermol yn fawr, bydd amser bywyd gwaith thyristor yn cynyddu'n sylweddol.

Manyleb Technegol

1. Thyristor a reolir fesul cam gyda sglodyn math aloi a weithgynhyrchir gan RUNAU Electronics, ystod o I_TAVo 300A i 6000A a V_DRM/V_RRMo 800V i 4400V.
2. I_GT,V_GTa minnau_Hyw'r gwerthoedd prawf ar 25 ℃, oni nodir yn wahanol, yr holl baramedrau eraill yw'r gwerthoedd prawf o dan T_jm;
3. I²t=I²F SM × tw/2, tw = lled sylfaen cerrynt hanner ton sinwsoidaidd.Ar 50Hz, I²t=0.005I²PYDd(A²S);
4. Ar 60Hz: i_PYDd(8.3ms)=I_PYDd(10 ms)×1.066,T_j=T_j;i²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Paramedr: